锑化铟

产品名称:

锑化铟

CAS Registry Number:

1312-41-0

EINECS:

215-192-3

别名:

锑化铟;锑化铟晶片;

分子结构:

分子式:

InSb

分子量:

236.578

密度:

5.76

沸点:

°Cat760mmHg

熔点:

535℃

闪点:

°C

风险术语:

20/22-51/53

安全声明:

Hazard Codes	Xn,N
Risk Statements	20/22-51/53
Safety Statements	61
RIDADR	UN 1549 6.1/PG 3
WGK Germany	2
RTECS	NL1105000
HazardClass	6.1
PackingGroup	III

危险品标志:

Xn: Harmful;N: Dangerous for the environment;

供应商锑化铟

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锑化铟

锑化铟相关信息

锑化铟

　　InSb(indium antimonide)

　　CAS:1312-41-0

　　EINECS:215-192-3

锑化铟

　　式量:237

　　熔点535,密度5,76 g/cm3锑和铟的化合物。金属锑和铟在高温熔合而得。具闪锌矿型结构的晶体。重要半导体材料之一。经熔炼提纯的单晶, 可制成具有特殊性能的红外探测器件等。

　　安全性:S61

　　危险品标志:Xn,N

锑化铟单晶

　　锑化铟单晶(indium antimoningle crystal InSb )性质

　　共价键结合，有一定离子键成分。立方晶系闪锌矿型结构，晶格常数0.6478nm。密度5.775g/cm3。熔点525℃。为直接带隙半导体，室温禁带宽度0.18eV，本征载流子浓度1.1×1022/m3，本征电阻率6×10-4Ω?m，较纯晶体的电子和空穴迁移率为10和0.17m2/(V?s)。采用区域熔炼、直拉法制备。用于制作远红外光电探测器、霍耳器件和磁阻器件。